GRAVURE IONIQUE RÉACTIVE

Dans la production de semi-conducteurs, la gravure ionique réactive est un élément central de la chaîne de process, une distinction étant faite entre la gravure sèche et la gravure humide. LAUDA propose actuellement des solutions de thermorégulation pour la gravure sèche, dans laquelle les plaques de semi-conducteurs (tranches) sont traitées par plasma dans une chambre de gravure sous vide. Les ions contenus dans le plasma bombardent les tranches et détachent ainsi du matériau. Par exemple, la couche d'oxyde sur une plaque de silicium peut être enlevée de cette manière afin de pouvoir ensuite appliquer les couches dopées (couches auxquelles des atomes étrangers ont été ajoutés et qui ont donc une certaine conductivité électrique). La température du plasma a une influence sur la vitesse et l'efficacité de la gravure. Si la température est trop basse, le plasma n'est pas suffisamment actif pour éroder efficacement le matériau. Si la température est trop élevée, le matériau risque d'être usé de manière excessive, ce qui entraîne des imprécisions et des dommages. Dans la production de semi-conducteurs, il est donc important de contrôler la température du plasma avec la plus grande précision, car les tranches de silicium sont traitées à l'échelle micro et nanométrique. Même de légères modifications de la température peuvent entraîner des changements importants de la taille et de la forme des structures gravées. LAUDA propose des semi-statiques spécialement conçus pour ce processus délicat.