等离子蚀刻

在半导体生产中，等离子蚀刻是过程链的核心部分，分为干法蚀刻和湿法蚀刻。LAUDA 目前提供干法蚀刻的温度控制解决方案，其中包括半导体板（晶圆）在真空蚀刻室中使用等离子体进行加工。等离子体中包含的离子弘基晶圆，从而剥离材料。例如，可以通过此方式去除硅板上的氧化层，以便后续能够涂镀施主掺杂涂层（与外来原子混合并因此具有一定导电性的涂层）。等离子体的温度会影响时刻的速度和效果。如果温度通过低，等离子体的活性将不足以有效剥除材料。如果温度过高，可能会过多剥离材料，从而导致误差和损坏。因此，在半导体生产中对等离子体温度的高精准控制非常重要，因为晶圆是在微米和纳米范围内加工的。即使温度的微笑变化也可能导致蚀刻结构尺寸和形状的明显变化。LAUDA 针对此类敏感工艺过程提供了专门设计的 Semistate 系列。